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DMN2041L
1.6
1.4
1.2
20
16
1.0
0.8
I D = 1mA
12
T A = 25°C
0.6
0.4
0.2
I D = 250μA
8
4
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
1,000
f = 1MHz
10,000
T A = 150°C
C iss
1,000
T A = 125°C
100
C oss
C rss
100
T A = 85°C
10
T A = -55°C
T A = 25°C
10
0
5 10 15
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
20
1
2
4
6 8 10 12 14 16 18
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
20
Fig. 9 Typical Total Capacitance
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
Fig. 10 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
0.1
D = 0.1
D = 0.9
D = 0.05
D = 0.02
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
R ? JA = 160°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
D = 0.005
t 2
T J - T A = P * R ? JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 11 Transient Thermal Response
DMN2041L
Document number: DS31962 Rev. 2 - 2
4 of 6
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
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